2N3819 N-Kanal-JFET 25 V 50 mA
2N3819 – N-Channel JFET Kurzbeschreibung Der 2N3819 ist ein bewährter N-Kanal JFET (Junction Field-Effect Transistor) mit niedrigem Rauschen, hoher Eingangsempfindlichkeit und guter HF-Leistung. Er eignet sich ideal für den Einsatz in Audio- und HF-Verstärkern, Oszillatoren oder Schaltungen zur Signalverarbeitung. Technische Daten Bauart: N-Channel JFET Gehäuse: TO-92 Drain-Source-Spannung: bis 25 V Gate-Source-Spannung: bis −25 V Gate Cutoff Spannung (VGS(off)): −3 V bis −8 V Drainstrom (IDSS): 2 mA bis 20 mA Transkonduktanz: 2 mS bis 6,5 mS Eingangskapazität: ca. 6–8 pF Verlustleistung: ca. 350 mW Betriebstemperatur: −55 °C bis +150 °C Einsatzbereiche HF-Verstärker und Mischstufen Audio-Vorverstärker und Filter Oszillatoren und Schwingkreise Anwendungen mit geringem Rauschen Allgemeine Signalverarbeitung in Elektronikschaltungen Fazit Der 2N3819 ist ein vielseitiger und zuverlässiger N-Channel JFET, der sich durch niedrige Rauschwerte und hohe Stabilität auszeichnet. Er ist die ideale Wahl für Entwickler und Anwender, die hochwertige Verstärker- oder Oszillatorschaltungen realisieren möchten.
CDIL BD135-16 NPN-Transistor 45 V 1,5 A TO-126 (SOT-32) Gehäuse
Der CDIL BD135-16 NPN-Transistor ist ein leistungsfähiger Bipolartransistor für den Einsatz in Verstärker-, Schalt- und Treiberanwendungen der Leistungselektronik. Er eignet sich ideal für Anwendungen, bei denen eine zuverlässige Stromverstärkung und stabile Schaltfunktion bei mittleren Leistungen gefordert sind. Der Transistor ist als NPN-Typ ausgeführt und für eine Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 45 V sowie einen Kollektorstrom von bis zu 1,5 A ausgelegt. Die Verstärkungsklasse -16 ermöglicht eine definierte Stromverstärkung und unterstützt eine reproduzierbare Schaltungsperformance. Dadurch eignet sich der BD135-16 sowohl für lineare Anwendungen als auch für Schaltbetriebe. Das TO-126 (SOT-32) Gehäuse bietet eine gute Wärmeabfuhr und erlaubt die Montage auf Kühlkörpern, was den Einsatz in leistungshungrigeren Schaltungen erleichtert. Die robuste Bauform und die zuverlässige Fertigungsqualität machen den Transistor zu einer bewährten Lösung für industrielle und elektronische Anwendungen. Der CDIL BD135-16 findet Anwendung in der Analog- und Leistungselektronik, in NF- und Treiberstufen, Spannungsreglern, Schaltnetzteilen sowie in Steuer- und Schaltanwendungen. Technische Highlights: Hersteller: CDIL Typ: BD135-16 Produkttyp: NPN-Leistungstransistor Gehäuse: TO-126 (SOT-32) Polung: NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V Kollektorstrom: 1,5 A Verstärkungsklasse: -16 Eigenschaften: Gute Wärmeabfuhr, zuverlässige Stromverstärkung, langlebig Einsatzbereiche: Verstärkerstufen, Treiber, Schaltelektronik, Leistungselektronik Der CDIL BD135-16 NPN-Transistor im TO-126-Gehäuse überzeugt durch zuverlässige elektrische Eigenschaften, robuste Bauform und vielseitige Einsatzmöglichkeiten – eine professionelle Lösung für anspruchsvolle Elektronik- und Leistungsschaltungen.
IRFR9024NPBF MOSFET Transistor SMD -55 V -11 A RDS 0,175 Ohm TO-252AA
HEXFET Power MOSFET - Ultra Low On-Resistance - P-Kanal - SMD-Montage - Advanced Process Technology - schnell schaltend
isc ST P3NB60 N-Kanal-Leistungs-MOSFET 600 V 2,5-3,0 A 3.6 Ω (Max) @ VGS = 10 V
Der isc ST P3NB60 N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein robuster und zuverlässiger Hochspannungs-Transistor für Schaltnetzteile, Leistungssteuerungen und industrielle Elektronikanwendungen. Er wurde speziell für Schalt- und Leistungsverstärkerstufen entwickelt und eignet sich ideal für Anwendungen mit hohen Spannungen und moderaten Strömen. Der MOSFET ist für eine maximale Drain-Source-Spannung von 600 V ausgelegt und unterstützt einen Dauerstrombereich von 2,5 bis 3,0 A. Mit einem maximalen RDS(on) von 3,6 Ω bei VGS = 10 V bietet er ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Schaltgeschwindigkeit, Verlustleistung und Effizienz. Dadurch eignet sich der Transistor besonders für Schaltnetzteile, DC/DC-Wandler, Inverter und Netzspannungsanwendungen. Dank seiner stabilen elektrischen Kennwerte und der robusten Halbleiterstruktur gewährleistet der P3NB60 eine zuverlässige Funktion auch bei hohen Spannungen und schnellen Schaltvorgängen. Die Konstruktion ist auf hohe thermische Stabilität und langlebigen Betrieb ausgelegt, was ihn für professionelle Elektronikentwicklungen und Reparaturanwendungen gleichermaßen geeignet macht. Der MOSFET lässt sich in verschiedensten Leistungs- und Schaltanwendungen einsetzen und bietet Entwicklern eine zuverlässige Lösung für effiziente Hochvolt-Schaltungen. Technische Highlights: Hersteller: ISC Typ: P3NB60 Produkttyp: N-Kanal-Leistungs-MOSFET Drain-Source-Spannung: 600 V Dauerstrom: 2,5 – 3,0 A RDS(on): max. 3,6 Ω @ VGS = 10 V Technologie: Leistungs-MOSFET (N-Channel) Eigenschaften: Hohe Spannungsfestigkeit, stabile Schaltleistung, langlebig Einsatzbereiche: Schaltnetzteile, Inverter, Leistungselektronik, Motorsteuerungen, Netzspannungsanwendungen, Reparaturtechnik Der isc ST P3NB60 MOSFET 600 V überzeugt durch robuste Bauweise, zuverlässige Schalteigenschaften und hohe Spannungsfestigkeit – eine professionelle Lösung für anspruchsvolle Hochvolt- und Leistungsanwendungen.
Leistungs-MOSFET IRLIZ34N
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Gehäuseform: TO-220 - Geeignet für viele DIY Projekte mit Arduino
Leistungs-MOSFET IRLIZ44N
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Gehäuseform: TO-220 - Geeignet für viele DIY Projekte mit Arduino Daten siehe Datenblatt
ON Semi HGTP10N120BN IGBT MOSFET 35 A 1200 V N-Channel
Der HGTP10N120BN von ON Semiconductor ist ein leistungsstarker N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), der für hohe Spannungen und hohe Ströme ausgelegt ist. Mit einer Sperrspannung von 1200 V und einem Dauerstrom von bis zu 35 A eignet er sich ideal für anspruchsvolle Leistungsanwendungen in Industrie- und Energieelektronik. Durch die Kombination aus MOSFET-Eingang und bipolarem Leistungsteil bietet der HGTP10N120BN eine einfache Ansteuerung bei gleichzeitig geringer Durchlassspannung und hoher Schaltfestigkeit. Die robuste Ausführung sorgt für zuverlässigen Betrieb auch unter hoher elektrischer und thermischer Belastung. Kurzbeschreibung Der HGTP10N120BN ist ein Hochleistungs-IGBT für Schaltanwendungen mit hoher Spannung. Er überzeugt durch gute Schalteigenschaften, hohe Effizienz und eine einfache Gate-Ansteuerung, wodurch er sich hervorragend für moderne Leistungselektronik eignet. Eigenschaften N-Channel IGBT mit MOSFET-Gate Kollektor-Emitter-Spannung: 1200 V Dauer-Kollektorstrom: 35 A Geringe Durchlassverluste Gute Schaltgeschwindigkeit Hohe Robustheit und Zuverlässigkeit Geeignet für harte Schaltbedingungen Industrietaugliche Ausführung Technische Daten MerkmalWert Typ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Hersteller ON Semiconductor Modell HGTP10N120BN Kanaltyp N-Channel Sperrspannung (VCE) 1200 V Dauerstrom (IC) 35 A Gate-Typ MOSFET Schaltverhalten schnell Gehäuse THT-Leistungsgehäuse Montageart Durchsteckmontage Betriebstemperatur bis +150 °C (Junction) Einsatzbereiche Frequenzumrichter Motorsteuerungen Schaltnetzteile mit hoher Leistung Wechselrichter und Inverter Industrie- und Leistungselektronik Energie- und Antriebstechnik Fazit Der ON Semiconductor HGTP10N120BN ist ein robuster und leistungsfähiger IGBT für Anwendungen bis 1200 V und 35 A. Dank einfacher Ansteuerung, guter Schalteigenschaften und hoher Zuverlässigkeit ist er eine ausgezeichnete Wahl für industrielle Leistungs- und Energieanwendungen.
ON Semi MMBT2907A PNP Transistor 60 V Universaltransistor SMD SOT23
Kennzeichnung: 2F
ST GB10NC60KD 600V 10A IGBT Transistor D²PAK Gehäuse
Der GB10NC60KD von STMicroelectronics ist ein kompakter und leistungsfähiger N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) für Schaltanwendungen im mittleren Leistungsbereich. Mit einer Sperrspannung von 600 V und einem Nennstrom von 10 A eignet sich der Baustein ideal für effiziente und platzsparende Leistungsdesigns. Das robuste D²PAK-Gehäuse (TO-263) ermöglicht eine gute Wärmeabfuhr und ist optimal für die SMD-Montage auf Leiterplatten ausgelegt. Durch das MOSFET-Gate lässt sich der IGBT einfach ansteuern und bietet gleichzeitig geringe Schaltverluste und zuverlässigen Betrieb. Kurzbeschreibung Der GB10NC60KD kombiniert einfache Gate-Ansteuerung mit hoher Spannungsfestigkeit und kompakter Bauform. Er ist besonders geeignet für moderne Leistungselektronik, bei der Effizienz, Zuverlässigkeit und platzsparendes Design gefragt sind. Eigenschaften N-Channel IGBT mit MOSFET-Gate Kollektor-Emitter-Spannung: 600 V Dauer-Kollektorstrom: 10 A Geringe Schalt- und Durchlassverluste Gute thermische Eigenschaften Einfache Gate-Ansteuerung Robust und zuverlässig im Dauerbetrieb D²PAK (TO-263) Gehäuse für SMD-Montage Technische Daten MerkmalWert Typ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Hersteller STMicroelectronics Modell GB10NC60KD Kanaltyp N-Channel Sperrspannung (VCE) 600 V Dauerstrom (IC) 10 A Gate-Typ MOSFET Gehäuse D²PAK (TO-263) Montageart SMD Betriebstemperatur bis +150 °C (Junction) Einsatzbereiche Schaltnetzteile Motorsteuerungen Wechselrichter und Inverter Leistungsstufen in Industrieelektronik Energie- und Antriebstechnik Elektronische Steuer- und Regelgeräte Fazit Der ST GB10NC60KD ist ein zuverlässiger und effizienter 600-V-IGBT für Anwendungen bis 10 A. Dank kompakter Bauform, einfacher Ansteuerung und guter thermischer Eigenschaften ist er ideal für moderne, platzsparende Leistungsanwendungen in Industrie und Elektronik.
starpower semiconductor DG40X12T2 IGBT Transistor 1200 V 40 A 468 W TO247
Hersteller: starpower semiconductor Transistor-Typ: IGBT Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Kollektor-Emitter-Strom: 40A Verlustleistung: 468W Gehäuse: TO247 Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektorstrom im Impuls: 120A Montage: THT Gate-Ladung: 0,27µC Anschaltzeit: 198ns Ausschaltzeit: 668ns Integrierte anti-parallel Diode Genaue Details im Datenblatt
Vishay Si4992EY Dual N-Channel 75 V (D-S) MOSFET
Der Vishay Si4992EY ist ein leistungsfähiger Dual N-Channel MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 75 V, der speziell für kompakte und effiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Durch die Integration von zwei MOSFETs in einem Gehäuse eignet sich der Baustein ideal für synchrone Schaltungen, Lastschalter und DC/DC-Wandler. Dank seines niedrigen Einschaltwiderstands ermöglicht der Si4992EY geringe Leitverluste und einen hohen Wirkungsgrad. Die robuste Auslegung sorgt für zuverlässigen Betrieb auch bei höheren Strömen und anspruchsvollen thermischen Bedingungen. Kurzbeschreibung Der Si4992EY kombiniert hohe Spannungsfestigkeit mit kompakter Bauform und niedrigen Verlusten. Er ist optimal geeignet für moderne Leistungselektronik, bei der Platzbedarf, Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Eigenschaften Dual N-Channel MOSFET in einem Gehäuse Drain-Source-Spannung: 75 V Niedriger R_DS(on) für hohe Effizienz Geeignet für hohe Schaltgeschwindigkeiten Geringe Leit- und Schaltverluste Gute thermische Eigenschaften Platzsparende Integration von zwei MOSFETs Technische Daten MerkmalWert Typ Dual N-Channel MOSFET Hersteller Vishay Drain-Source-Spannung (V_DS) 75 V Anzahl Kanäle 2 Kanaltyp N-Channel R_DS(on) niedrig (typ. datenblattabhängig) Gate-Source-Spannung (V_GS) ±20 V Gehäuse SMD (modellabhängig) Montageart SMD Temperaturbereich bis +150 °C (Junction) Einsatzbereiche DC/DC-Wandler Last- und High-Side-/Low-Side-Schalter Motor- und Aktortreiber Leistungsmanagement in Embedded-Systemen Industrie- und Automotive-nahe Anwendungen Fazit Der Vishay Si4992EY ist ein kompakter, effizienter Dual-N-Channel-MOSFET für Anwendungen mit bis zu 75 V Betriebsspannung. Mit niedrigen Verlusten, guter thermischer Performance und hoher Zuverlässigkeit ist er eine ausgezeichnete Wahl für moderne Leistungselektronik.