isc ST P3NB60 N-Kanal-Leistungs-MOSFET 600 V 2,5-3,0 A 3.6 Ω (Max) @ VGS = 10 V

Der isc ST P3NB60 N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein robuster und zuverlässiger Hochspannungs-Transistor für Schaltnetzteile, Leistungssteuerungen und industrielle Elektronikanwendungen. Er wurde speziell für Schalt- und Leistungsverstärkerstufen entwickelt und eignet sich ideal für Anwendungen mit hohen Spannungen und moderaten Strömen.

Der MOSFET ist für eine maximale Drain-Source-Spannung von 600 V ausgelegt und unterstützt einen Dauerstrombereich von 2,5 bis 3,0 A. Mit einem maximalen RDS(on) von 3,6 Ω bei VGS = 10 V bietet er ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Schaltgeschwindigkeit, Verlustleistung und Effizienz. Dadurch eignet sich der Transistor besonders für Schaltnetzteile, DC/DC-Wandler, Inverter und Netzspannungsanwendungen.

Dank seiner stabilen elektrischen Kennwerte und der robusten Halbleiterstruktur gewährleistet der P3NB60 eine zuverlässige Funktion auch bei hohen Spannungen und schnellen Schaltvorgängen. Die Konstruktion ist auf hohe thermische Stabilität und langlebigen Betrieb ausgelegt, was ihn für professionelle Elektronikentwicklungen und Reparaturanwendungen gleichermaßen geeignet macht.

Der MOSFET lässt sich in verschiedensten Leistungs- und Schaltanwendungen einsetzen und bietet Entwicklern eine zuverlässige Lösung für effiziente Hochvolt-Schaltungen.

Technische Highlights:

• Hersteller: ISC

• Typ: P3NB60

• Produkttyp: N-Kanal-Leistungs-MOSFET

• Drain-Source-Spannung: 600 V

• Dauerstrom: 2,5 – 3,0 A

• RDS(on): max. 3,6 Ω @ VGS = 10 V

• Technologie: Leistungs-MOSFET (N-Channel)

• Eigenschaften: Hohe Spannungsfestigkeit, stabile Schaltleistung, langlebig

• Einsatzbereiche: Schaltnetzteile, Inverter, Leistungselektronik, Motorsteuerungen, Netzspannungsanwendungen, Reparaturtechnik

Der isc ST P3NB60 MOSFET 600 V überzeugt durch robuste Bauweise, zuverlässige Schalteigenschaften und hohe Spannungsfestigkeit – eine professionelle Lösung für anspruchsvolle Hochvolt- und Leistungsanwendungen.