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starpower semiconductor DG40X12T2 IGBT Transistor 1200 V 40 A 468 W TO247

Produktinformationen "starpower semiconductor DG40X12T2 IGBT Transistor 1200 V 40 A 468 W TO247"

Hersteller: starpower semiconductor

Transistor-Typ: IGBT

Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV

Kollektor-Emitter-Strom: 40A

Verlustleistung: 468W

Gehäuse: TO247

Gate - Emitter Spannung: ±20V

Kollektorstrom im Impuls: 120A

Montage: THT

Gate-Ladung: 0,27µC

Anschaltzeit: 198ns

Ausschaltzeit: 668ns

Integrierte anti-parallel Diode

Genaue Details im Datenblatt