infineon IRFBC30 – N-Kanal Leistungs-MOSFET, 600 V, 3,6 A, TO-220AB

Kurzbeschreibung
Der Infineon IRFBC30 ist ein N-Kanal Leistungs-MOSFET für Hochspannungs-Schaltanwendungen. Mit einer Drain-Source-Spannung von 600 V, einem Strom von bis zu 3,6 A und einem TO-220AB-Gehäuse eignet er sich besonders für Netzteile, Schaltnetzteile und industrielle Leistungselektronik.

Produktbeschreibung
Der IRFBC30 ist ein robuster N-Kanal MOSFET für Anwendungen, bei denen eine hohe Spannungsfestigkeit und zuverlässiges Schalten erforderlich sind. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 600 V eignet er sich insbesondere für netzspannungsnahe Schaltungen und Hochspannungsanwendungen.

Der MOSFET besitzt einen maximalen Einschaltwiderstand von 2,2 Ω und kann einen Drainstrom von bis zu 3,6 A führen. Das bewährte TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine einfache THT-Montage auf Leiterplatten und bei Bedarf die Montage an einem Kühlkörper.

Durch seine Bauform und elektrischen Eigenschaften eignet sich der IRFBC30 besonders für Reparaturen bestehender Geräte, Schaltnetzteile und verschiedene Anwendungen der Leistungselektronik.

Eigenschaften
N-Kanal Leistungs-MOSFET

Drain-Source-Spannung: 600 V

Drainstrom: bis 3,6 A

Einschaltwiderstand: 2,2 Ω

TO-220AB-Gehäuse

THT-Montage

Geeignet für Hochspannungs-Schaltanwendungen

Robuste Ausführung für Leistungselektronik

Technische Daten

Einsatzbereiche
Schaltnetzteile

Netzteile und Stromversorgungen

Leistungsschalter

Hochspannungs-Schaltungen

Industrieelektronik

Reparatur elektronischer Geräte

Fazit
Der Infineon IRFBC30 ist ein kompakter N-Kanal Leistungs-MOSFET für Anwendungen bis 600 V und 3,6 A. Das TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und gute Wärmeableitung, wodurch sich der MOSFET besonders für Reparaturen und Hochspannungs-Schaltanwendungen eignet.