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2N3819 N-Kanal-JFET 25V 50mA 2N3819 – N-Channel JFET Kurzbeschreibung Der 2N3819 ist ein bewährter N-Kanal JFET (Junction Field-Effect Transistor) mit niedrigem Rauschen, hoher Eingangsempfindlichkeit und guter HF-Leistung. Er eignet sich ideal für den Einsatz in...
SW10898 Inhalt 1 Stück
1,50 €
CDIL BD135-16 NPN-Transistor 45 V 1,5 A TO-126 (SOT-32) Gehäuse Der CDIL BD135-16 NPN-Transistor ist ein leistungsfähiger Bipolartransistor für den Einsatz in Verstärker-, Schalt- und Treiberanwendungen der Leistungselektronik. Er eignet sich ideal für Anwendungen, bei denen eine zuverlässige...
SW11071 Inhalt 1 Stück
1,00 €
IRFR9024NPBF MOSFET Transistor SMD -55V -11A RDS 0,175Ohm TO252AA HEXFET Power MOSFET - Ultra Low On-Resistance - P-Kanal - SMD-Montage - Advanced Process Technology - schnell schaltend
SW10699 Inhalt 1 Stück
1,00 €
Leistungs-MOSFET IRLIZ34N 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Gehäuseform: TO-220 - Geeignet für viele DIY Projekte mit Arduino
SW10642 Inhalt 1 Stück
1,50 €
Leistungs-MOSFET IRLIZ44N 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Gehäuseform: TO-220 - Geeignet für viele DIY Projekte mit Arduino Daten siehe Datenblatt
SW10011 Inhalt 1 Stück
1,50 €
ON Semi HGTP10N120BN IGBT MOSFET 35A 1200V N-Channel Der HGTP10N120BN von ON Semiconductor ist ein leistungsstarker N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), der für hohe Spannungen und hohe Ströme ausgelegt ist. Mit einer Sperrspannung von 1200 V und einem Dauerstrom von bis zu...
SW10967 Inhalt 1 Stück
4,00 €
ON Semi MMBT2907A PNP Transistor 60V Universaltransistor SMD SOT23 Kennzeichnung: 2F
SW10770 Inhalt 1 Stück
0,20 €
ST GB10NC60KD 600V 10A IGBT Transistor D²PAK Gehäuse Der GB10NC60KD von STMicroelectronics ist ein kompakter und leistungsfähiger N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) für Schaltanwendungen im mittleren Leistungsbereich. Mit einer Sperrspannung von 600 V und einem Nennstrom...
SW10509 Inhalt 1 Stück
3,99 €
starpower semiconductor DG40X12T2 IGBT Transistor 1200V 40A 468W TO247 Hersteller: starpower semiconductor Transistor-Typ: IGBT Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Kollektor-Emitter-Strom: 40A Verlustleistung: 468W Gehäuse: TO247 Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektorstrom im Impuls: 120A Montage: THT...
SW10748 Inhalt 1 Stück
8,40 €
Vishay Si4992EY Dual N-Channel 75-V (D-S) MOSFET Der Vishay Si4992EY ist ein leistungsfähiger Dual N-Channel MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 75 V , der speziell für kompakte und effiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Durch die Integration von zwei MOSFETs in einem...
SW10962 Inhalt 1 Stück
2,00 €
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