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Der Vishay Si4992EY ist ein leistungsfähiger Dual N-Channel MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 75 V, der speziell für kompakte und effiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Durch die Integration von zwei MOSFETs in einem Gehäuse eignet sich der Baustein ideal für synchrone Schaltungen, Lastschalter und DC/DC-Wandler.
Dank seines niedrigen Einschaltwiderstands ermöglicht der Si4992EY geringe Leitverluste und einen hohen Wirkungsgrad. Die robuste Auslegung sorgt für zuverlässigen Betrieb auch bei höheren Strömen und anspruchsvollen thermischen Bedingungen.
Kurzbeschreibung
Der Si4992EY kombiniert hohe Spannungsfestigkeit mit kompakter Bauform und niedrigen Verlusten. Er ist optimal geeignet für moderne Leistungselektronik, bei der Platzbedarf, Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind.
Eigenschaften
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Dual N-Channel MOSFET in einem Gehäuse
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Drain-Source-Spannung: 75 V
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Niedriger R_DS(on) für hohe Effizienz
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Geeignet für hohe Schaltgeschwindigkeiten
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Geringe Leit- und Schaltverluste
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Gute thermische Eigenschaften
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Platzsparende Integration von zwei MOSFETs
Technische Daten
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Typ | Dual N-Channel MOSFET |
| Hersteller | Vishay |
| Drain-Source-Spannung (V_DS) | 75 V |
| Anzahl Kanäle | 2 |
| Kanaltyp | N-Channel |
| R_DS(on) | niedrig (typ. datenblattabhängig) |
| Gate-Source-Spannung (V_GS) | ±20 V |
| Gehäuse | SMD (modellabhängig) |
| Montageart | SMD |
| Temperaturbereich | bis +150 °C (Junction) |
Einsatzbereiche
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DC/DC-Wandler
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Last- und High-Side-/Low-Side-Schalter
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Motor- und Aktortreiber
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Leistungsmanagement in Embedded-Systemen
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Industrie- und Automotive-nahe Anwendungen
Fazit
Der Vishay Si4992EY ist ein kompakter, effizienter Dual-N-Channel-MOSFET für Anwendungen mit bis zu 75 V Betriebsspannung. Mit niedrigen Verlusten, guter thermischer Performance und hoher Zuverlässigkeit ist er eine ausgezeichnete Wahl für moderne Leistungselektronik.
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