ST GB10NC60KD 600V 10A IGBT Transistor D²PAK Gehäuse

Der GB10NC60KD von STMicroelectronics ist ein kompakter und leistungsfähiger N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) für Schaltanwendungen im mittleren Leistungsbereich. Mit einer Sperrspannung von 600 V und einem Nennstrom von 10 A eignet sich der Baustein ideal für effiziente und platzsparende Leistungsdesigns.

Das robuste D²PAK-Gehäuse (TO-263) ermöglicht eine gute Wärmeabfuhr und ist optimal für die SMD-Montage auf Leiterplatten ausgelegt. Durch das MOSFET-Gate lässt sich der IGBT einfach ansteuern und bietet gleichzeitig geringe Schaltverluste und zuverlässigen Betrieb.

Kurzbeschreibung

Der GB10NC60KD kombiniert einfache Gate-Ansteuerung mit hoher Spannungsfestigkeit und kompakter Bauform. Er ist besonders geeignet für moderne Leistungselektronik, bei der Effizienz, Zuverlässigkeit und platzsparendes Design gefragt sind.

Eigenschaften

• N-Channel IGBT mit MOSFET-Gate

• Kollektor-Emitter-Spannung: 600 V

• Dauer-Kollektorstrom: 10 A

• Geringe Schalt- und Durchlassverluste

• Gute thermische Eigenschaften

• Einfache Gate-Ansteuerung

• Robust und zuverlässig im Dauerbetrieb

• D²PAK (TO-263) Gehäuse für SMD-Montage

Technische Daten

Einsatzbereiche

• Schaltnetzteile

• Motorsteuerungen

• Wechselrichter und Inverter

• Leistungsstufen in Industrieelektronik

• Energie- und Antriebstechnik

• Elektronische Steuer- und Regelgeräte

Fazit

Der ST GB10NC60KD ist ein zuverlässiger und effizienter 600-V-IGBT für Anwendungen bis 10 A. Dank kompakter Bauform, einfacher Ansteuerung und guter thermischer Eigenschaften ist er ideal für moderne, platzsparende Leistungsanwendungen in Industrie und Elektronik.