ON Semi HGTP10N120BN IGBT MOSFET 35A 1200V N-Channel

Der HGTP10N120BN von ON Semiconductor ist ein leistungsstarker N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), der für hohe Spannungen und hohe Ströme ausgelegt ist. Mit einer Sperrspannung von 1200 V und einem Dauerstrom von bis zu 35 A eignet er sich ideal für anspruchsvolle Leistungsanwendungen in Industrie- und Energieelektronik.

Durch die Kombination aus MOSFET-Eingang und bipolarem Leistungsteil bietet der HGTP10N120BN eine einfache Ansteuerung bei gleichzeitig geringer Durchlassspannung und hoher Schaltfestigkeit. Die robuste Ausführung sorgt für zuverlässigen Betrieb auch unter hoher elektrischer und thermischer Belastung.

Kurzbeschreibung

Der HGTP10N120BN ist ein Hochleistungs-IGBT für Schaltanwendungen mit hoher Spannung. Er überzeugt durch gute Schalteigenschaften, hohe Effizienz und eine einfache Gate-Ansteuerung, wodurch er sich hervorragend für moderne Leistungselektronik eignet.

Eigenschaften

• N-Channel IGBT mit MOSFET-Gate

• Kollektor-Emitter-Spannung: 1200 V

• Dauer-Kollektorstrom: 35 A

• Geringe Durchlassverluste

• Gute Schaltgeschwindigkeit

• Hohe Robustheit und Zuverlässigkeit

• Geeignet für harte Schaltbedingungen

• Industrietaugliche Ausführung

Technische Daten

Einsatzbereiche

• Frequenzumrichter

• Motorsteuerungen

• Schaltnetzteile mit hoher Leistung

• Wechselrichter und Inverter

• Industrie- und Leistungselektronik

• Energie- und Antriebstechnik

Fazit

Der ON Semiconductor HGTP10N120BN ist ein robuster und leistungsfähiger IGBT für Anwendungen bis 1200 V und 35 A. Dank einfacher Ansteuerung, guter Schalteigenschaften und hoher Zuverlässigkeit ist er eine ausgezeichnete Wahl für industrielle Leistungs- und Energieanwendungen.